ผู้บริหารแซนดิสก์จุดประกาย หน่วยความจำแฟลชเมมโมรี่อาจถึงทางตันก่อนจะสามารถครองโลกได้ เชื่อว่าจะมีเทคโนโลยีใหม่เกิดขึ้นมาแทนที่เนื่องจากแฟลชเมมโมรี่อาจพบกับจุดอิ่มตัวทางกายภาพจนทำให้ไม่สามารถพัฒนาประสิทธิภาพได้ตามความต้องการของมนุษย์

ไมเคิล คาแนลโลส (Michael Kanellos) โพสต์คำกล่าวของเอลี ฮาราริ (Eli Harari) ซีอีโอแซนดิสก์ (SanDisk) บริษัทผู้ผลิตหน่วยความจำแฟลชเมมโมรี่รายใหญ่ของโลกไว้ในส่วนข่าวนิวส์บล็อก ของซีเน็ตดอทคอม ซึ่งเป็นคำกล่าวที่ฮาราริกล่าวไว้ในงานประชุมผู้ประกอบการแฟลชเมมโมรี่หรือ Flash Memory Summit จัดขึ้นในซานตาคลารา แคลิฟอร์เนีย เมื่อวันพุธที่ผ่านมาตามเวลาสหรัฐฯ

ฮาราริกล่าวว่าที่ผ่านมาหน่วยความจำแนนแฟลชเมมโมรี่ (NAND flash) สามารถคว้าชัยชนะทั้งในตลาดกล้องดิจิตอลและเครื่องเล่นเพลง MP3 สามารถเขี่ยฮาร์ดไดร์ฟขนาด 1 นิ้ว 1.8 นิ้วตกกระป๋องไปได้ และกำลังรุกเข้าสู่ตลาดฮาร์ดไดร์ฟ 2.5 นิ้วสำหรับใช้ในคอมพิวเตอร์โน้ตบุ๊กขณะนี้ แนวโน้มตลาดต่อไปเชื่อว่าจะเป็นตลาดวีดีโอ ทั้งกล้องวีดีโอและโทรศัพท์มือถือติดกล้องดิจิตอล คาดว่าในปีหน้าจะมีผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์หันมาใช้แฟลชเมมโมรี่เก็บข้อมูลมากขึ้น

ฮาราริระบุว่า หลายสัญญาณชี้ว่าแนนแฟลชฯจะเริ่มเข้ามามีบทบาทแทนที่หน่วยความจำชนิดดีแรม (DRAM) ซึ่งเป็นหน่วยความจำหลักในคอมพิวเตอร์พีซีภายใน 5 ถึง 7 ปีนี้ โดยที่ผ่านมา ราคาต้นทุนการผลิตแนนแฟลชฯนั้นเคยอยู่ในระดับที่แพงกว่าดีแรม (DRAM) เป็นเช่นนี้มาตลอดนับตั้งแต่ปี 2001 เชื่อว่าแนนแฟลชฯจะมีราคาถูกกว่าดีแรมในปี 2007 นี้อย่างเห็นได้ชัด

ด้านบริษัทผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์รายใหญ่อย่างไอบีเอ็ม (IBM) ก็เริ่มให้ความสำคัญกับการประยุกต์ใช้แนนแฟลชฯเช่นกัน

ความสำเร็จมากมายดูเหมือนความจริงที่งดงาม แต่ข่าวร้ายคือการพัฒนาชิปแนนแฟลชฯมีแนวโน้มยากขึ้นเรื่อยๆ เท่ากับจุดอิ่มตัวของพัฒนาการแนนแฟลชฯกำลังปรากฎให้เห็นรำไร

"ตอนนี้พัฒนาการของแนนแฟลชเริ่มช้าลงแล้ว เป็นผลมาจากข้อจำกัดด้านกายภาพ" ฮาราริกล่าว "เราอาจจะพัฒนาแนนแฟลชฯยุคที่ 3 หรือ 4 ได้ หรืออย่างมากที่สุดก็ 5 เหนือกว่านั้นเราคงต้องพึ่งพาเทคโนโลยีใหม่"

ปัญหาหลักของแนนแฟลชฯคือส่วนประกอบด้านในชิปที่สามารถหดขนาดลงได้ในขีดจำกัดระดับหนึ่งเท่านั้น ซึ่งถือเป็นปัญหาด้านกายภาพที่เป็นอุปสรรคต่อการพัฒนาชิปแนนแฟลชฯในอนาคต ขณะเดียวกัน หากผู้พัฒนาฝืนลดขนาดส่วนประกอบภายในชิปลงเสถียรภาพของข้อมูลก็จะไม่มี

อย่างไรก็ตาม แซนดิสก์ตระหนักดีถึงปัญหาที่กำลังเผชิญอยู่ จึงได้พัฒนาวิธีจัดเรียงทรานซิสเตอร์แบบใหม่ในลักษณะแนวตั้ง 3 มิติ โดยใช้แนวคิดที่ว่า ในยุคที่ดินแพง เราก็จะพยายามสร้างตึกระฟ้าเพื่อเป็นที่อยู่อาศัย

แซนดิสก์ระบุว่า กำลังทำวิจัยอยู่กับอดีตบริษัทเมทริกซ์เซมิคอนดักเตอร์ (Matrix Semiconductor) ซึ่งเป็นบริษัทวิจัยด้านเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำแบบ 3 มิติที่แซนดิส์ซื้อมาเมื่อ 2-3 ปีมาแล้ว เพื่อแก้ปัญหาในผลงานพัฒนาเดิมของเมทริกซ์ฯที่ข้อมูลเดิมไม่สามารถลบออกได้

ฮาราริทิ้งท้ายว่า โรงงานผลิตแนนแฟลชฯกว่า 50 เปอร์เซ็นต์ทั่วโลกจะต้องมีการเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ในอีก 2 ปีข้างหน้า เพื่อปรับตัวให้อยู่รอดท่ามกลางโรงงานเกิดใหม่ที่สามารถลดต้นทุนการผลิตลงได้ราว 30-45 เปอร์เซ็นต์ต่อปี และภาวะราคาตกที่เกิดขึ้นตลอด 2 ปีที่ผ่านมา

Company Related Links :
Sandisk

ข่าวจาก : ผู้จัดการออนไลน์
วันที่ : 10 สิงหาคม 2550 เวลา 09:17 น.