ไอบีเอ็มเปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำสำหรับคอมพิวเตอร์ใหม่ล่าสุด "eDRAM" การันตีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลเร็วกว่าเทคโนโลยี DRAM ที่ใช้กันมากในปัจจุบันถึง 10 เท่า เชื่อว่าจะเริ่มเปิดสายการผลิตได้ในปีหน้า

ไอบีเอ็มระบุว่าเทคโนโลยี eDRAM หรือ embedded dynamic random access memory ถูกออกแบบมาให้ระบบสามารถเข้าถึงข้อมูลในหน่วยความจำได้เร็วขึ้น ความสามารถในการประมวลผลดีขึ้น ซึ่งจะช่วยเพิ่มขีดความสามารถของเครื่องคอมพิวเตอร์ทั้งในเครื่องการจัดการ เครือข่าย แสดงผลภาพเกมและแอปพลิเคชันมัลติมีเดียนานาชนิดที่ต้องการหน่วยความจำ คุณภาพสูง ยืนยันว่าไม่มีข้อเสียหรือปัญหาภัยเสี่ยงใดๆโดยเฉพาะปัญหาไฟฟ้าลัดวงจร

ไอบีเอ็มนำรายละเอียดเทคโนโลยี eDRAM มาเปิดเผยในงานประชุมเทคโนโลยีวงจรไฟฟ้าและปรมานูนานาชาติ International Solid State Circuits Conference ที่ซานฟรานซิสโก โดยระบุว่าจากการทดสอบ เทคโนโลยีนี้สามารถประมวลผลข้อมูลได้เร็วกว่าเทคโนโลยี DRAM ที่ใช้กันมากในคอมพิวเตอร์พีซีปัจจุบันถึง 10 เท่า

"ไอบีเอ็ม สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของไมโครโปรเซสเซอร์(ในหน่วยความจำ)ได้เป็น สองเท่า เหนือกว่าที่เคยมีการพัฒนามา" สุบรามาเนียน ไอเยอร์ (Subramanian Iyer) ผู้อำนวยการฝ่ายพัฒนาของไอบีเอ็มกล่าว "เนื่องจากสามารถพัฒนาส่วนประกอบที่เป็นเซมิคอนดักเตอร์ให้มีขนาดเล้กลงได้ หลายชิ้น และการให้ความสำคัญกับนวัตกรรมการออกแบบชิปใหม่ๆมากกว่าการเน้นใช้ความรู้ ด้านวัสดุเพียงอย่างเดียว ซึ่งเป็นมาตลอดเวลาที่หลายบริษัทมุ่งยืดเป็นแนวทางเพื่อไม่ให้พลาดกฎของ มัวร์ (Moore's Law)"

เนื้อหาหลักในกฏของมัวร์ระบุว่า ความสามารถของชิปคอมพิวเตอร์จะเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่าในทุกๆสองปี ซึ่งเป็นคำพยากรณ์ของผู้ร่วมก่อตั้งยักษ์ใหญ่อินเทลเมื่อกว่า 10 ปีที่แล้ว กฏนี้เป็นสิ่งที่บริษัทผู้ผลิตชิปหลายรายยืดเป็นแนวทางในการพัฒนาผลิตภัณฑ์ ของตนเอง

เทคโนโลยี eDRAM ของไอบีเอ็มนั้นเป็นการผูกเทคโนโลยีเซลล์เก็บข้อมูลใน DRAM เข้ากับเทคโนโลยีวงจรไฟฟ้า รวมเอาเทคโนโลยีที่เคยแยกกันในหน่วยความจำ DRAM มาไว้รวมกัน

เหตุผลของการผูกรวมเทคโนโลยีคือตั้งแต่ที่ DRAM เปิดตัวในปี 1970 ปัจจัยผลักดันหน่วยความจำ DRAM คือราคา ขณะที่สิ่งผลักดันเทคโนโลยีวงจรไฟฟ้าคือความเร็ว การแข่งขันด้านราคาที่บีบไม่ให้หน่วยความจำสามารถพัฒนาได้เต็มที่และแผง วงจรไฟฟ้าที่เร็วขึ้นจึงเกิดเป็นช่องว่างที่ทำให้โลกต้องการชิปหน่วยความจำ ที่มีการพัฒนาให้มากกว่าเดิม ทั้งในด้านการออกแบบและสถาปัตยกรรมการทำงาน

ก่อนหน้านี้ DRAM เคยสามารถเอาชนะหน่วยความจำรุ่นพี่อย่าง SRAM (static random access memory) ได้ด้วยความสามารถที่มากกว่า 6 ถึง 8 เท่า แต่ปัจจุบัน บางครั้ง DRAM ก็ไม่สามารถทำงานได้ทันแอปพลิเคชันที่พัฒนาไปอย่างรวดเร็ว นี่จึงเป็นเหตุผลที่ทำให้ไอบีเอ็มชูเทคโนโลยี eDRAM ขึ้นมาเป็นเทคโนโลยีทางเลือกใหม่

ไอบีเอ็ม ไม่ระบุว่าจะสามารถวางจำหน่ายผลิตภัณฑ์หน่วยความจำเทคโนโลยี eDRAM ในช่วงเวลาใด แต่เปิดเผยเพียงว่าวางแผนเปิดสายการผลิตในปี 2008 บนเทคโนโลยีการผลิตไมโครโปรเซสเซอร์ขนาด 45 นาโนเมตร